જ્યારે ${\lambda _1}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_1 \ m/s$ છે. જો ${\lambda _2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન તે જ ધાતુ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_2 \ m/s$ છે. $v_2^2 - v_1^2$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના અવલોકનોના સંદર્ભમાં,નીચે આપેલા વિધાનોમાંથી સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$B.$ પ્રકાશના સ્ત્રોતને ધાતુની સપાટીથી દૂર લઈ જવાથી સેચ્યુરેશન પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$C.$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ સ્ત્રોતની પાવર ઘટાડવાથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઘટે છે.
$D.$ ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ત્વરિત ઉત્સર્જન પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
$E.$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $2500 \ \mathring A$ અને $5000 \ \mathring A$ હોય અને ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $2 \ eV$ હોય,તો ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનો અંદાજીત ગુણોત્તર શોધો. ($:1$ માં)

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના કિસ્સામાં, કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળા વિકિરણને ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ સંભવિત વેગ કેટલો હશે? ($m$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ, $h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટેનું આઈન્સ્ટાઈનનું સમીકરણ $E_k = hf - \phi_0$ છે. આ સમીકરણમાં $E_k$ ........... દર્શાવે છે.

$200 \ nm$ ની તરંગલંબાઈ ધરાવતો અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ લોખંડની તાજી પૉલિશ કરેલી સપાટી પર આપાત થાય છે. સપાટીનું વર્કફંકશન $4.71 \ eV$ છે. તો સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $eV$ માં કેટલું થશે? $(h = 6.626 \times 10^{-34} \ Js, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J, c = 3 \times 10^8 \ m/s)$